Informática

Memorias RRAM

16 septiembre, 2013

La compañía Crossbar ha registrado el diseño de un nuevo tipo de memoria denominada RRAM o ReRAM (Resistive Random Access Memory). Se trata de una memoria no volátil, que será más pequeña, más rápida y más eficiente energéticamente que NAND flash y RAM.

Según las pruebas realizadas por la compañía este tipo de memoria es 20 veces más rápida en proceso de escritura y consume 20 veces menos de energía que la tecnología NAND flash actual. Este último punto puede resultar muy atractivo a fabricantes de Smartphone y Tablet, que verían incrementada la autonomía de sus equipos con la tecnología actual de baterías, teniendo en cuenta que gran parte del consumo de estos equipos se debe a la memoria flash.

Otra ventaja de este tipo de memoria es que puede apilarse en su construcción, creando chips tridimensionales que ocupan aproximadamente la mitad de espacio que los actuales NAND flash.

Respecto al coste de producción se estima que es más barato que las flash actuales. Además, RRAM utiliza material y equipos ya existentes en la fabricación flash, requiriendo únicamente algunos cambios y mejoras. Por lo que los fabricantes no tienen que realizar una gran inversión en nuevos equipos de fabricación.

El funcionamiento de RRAM es diferente al de NAND flash y RAM. A diferencia de la memoria flash NAND, esta tecnología de barra transversal no utiliza transistores para almacenar una carga. En su lugar, utiliza un diseño por capas para almacenar datos. Una célula RRAM tiene tres capas, con un dieléctrico en el medio que determina si la célula está almacenando un 1 o un 0. La capa superior tiene un electrodo metálico, mientras que la capa inferior tiene un electrodo no metálico. La capa superior cede iones metálicos a la capa inferior, lo que crea un filamento conductor entre ambos electrodos, cuando el dieléctrico lo permite.

La aplicación de una carga negativa sobre el dieléctrico rompe el filamento conductor y deja un hueco entre los electrodos, lo que deja sin resistencia y cambia el estado de la celda de memoria. Al aplicar una carga positiva se invierte el proceso.

Las principales ventajas a nivel de diseño de esta tecnología es que los niveles de tensión requeridos son inferiores a otras tecnologías, por lo que se reduce el consumo y se hace atractivo para sistemas de muy baja potencia. La lectura de la memoria es resistiva, simplificando el circuito de lectura de las celdas.

Post publicado por: Jorge García

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